氮化硅薄膜——集成電路制造至關重要的介質材料
發布時間:2022年04月07日
氮化硅(Si3N4)薄膜是一種應用廣泛的介質材料。作為非晶絕緣物質,氮化硅膜的介質特性優于二氧化硅膜,具有對可動離子阻擋能力強、結構致密、針孔密度小、化學穩定性好、介電常數高等優點,在集成電路制造領域被廣泛用作表面鈍化保護膜、絕緣層、雜質擴散掩膜、刻蝕掩膜以及半導體元件的表面封裝等.....
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