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MOSFET使用多晶硅的原由及其常見技術

發布時間:2014年05月21日
《全球鐵合金網》2014-5-21:一、MOSFET使用多晶硅的原由```理論上MOSFET的柵極應該盡可能選擇電性良好的導體,多晶硅在經過重摻雜之后的導電性可以用在MOSFET的柵極上,但是并非完美的選擇。MOSFET使用多晶硅的理由如下```````
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