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大功率LED關鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

發布時間:2011年07月25日
《全球鐵合金網》2011-7-25:超級半導體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓,已成為大功率LED的關鍵材料之一,并在射頻領域中受寵,其中包括Cree、RFMD以及Eudyna和Nitronex推出針對這·····
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